If you do not find what you're looking for, you can use more accurate words.
تم تصنيع ال CMOS من خلال ان ال PMOS transistors ان ليها مدخل من مصدر جهد كهربائي أو من خلال PMOS اخر. ايضا جميع ال NMOS لديهم مدخل من خط التأريض أو من خلال NMOS اخر.
طريقة تركيب ال PMOS transistor تنتج كمية مقاومة قليلة بين المصدر وبوابة التصريف عند تطبيق مصدر كهربائي قليل الكمية، وينشأ مقاومة عالية عند تطبيق مصدر عالي الجهد الكهربائي. من جهة اخري طريقة تركيب وتشكيل NMOS تنشأ حالة معاكسة للحالة السابقة بحيث تنشا مقاومة عالية عند تطبيق مصدر كهربائي قليل الكمية.
طريقة التوصيل أو التنظيم في ال CMOS تحقق تقليل ل التيار من خلال ربط كل nMOSFET و pMOSFET و ربط بواباتهم معا(gates) و ربط بوبات تصريفهم معا .فرق جهد كهربائي عالي يطبق على ال gates يسبب توصيل وربط (conduct) ل ال nMOSFET و عدم ربط وتوصيل ل pMOSFET , بينما تطبيق جهد كهربائي قليل يسبب (reverse) . طريقة التوصيل هذه تسبب تقليل كبير في كمية الطاقة المستهلكة والحرارة المُشعة.
في خلال مرحلة التشغيل نوعي ال (MOSFETs) يكونون في حالة التوصيل (conduct).
الطاقة المستخدمة في تشغيل ودعم ال , Ground(GND ) Vdd , Vss Vcc اعتمادا على ال المصنع.
من أهم خصائص دائرة ال CMOS الثنائية أو الازدواجية الموجودة بين ال PMOS و ال NMOS .تم انشاء ال CMOS بحيث يسمح بتواجد مسار دائم من المخرج اما للارض أو لمصدر الطاقة.
بعض بوبات المنطق الرقمي التي تحتوي على ( بوابة اقتران و بوابة اختيار) تحتاج ل التلاعب ب في المسارات بين ال(gates) لانشاء نتيجة المنطق الرقمي.عند وجود مسار يتكون م transistors ) متصلين على التوالي، كلاهما يجيب ان يحتوي على كمية مقاومة قليلة منسجمة مع مصدر الطاقة لانشاء(بوابة اقتران gate) , وفي حالة توصيل two transistor على التوازي كلاهما أو أحد(ما يجيب ان يتكون من مقاومة قليلة لانشاء(بوابة اختيار).
احدى أهم خصائص ال CMOS على ال NMOS انهُ في حالة الانتقال من اعلى قيمة إلى اقل قيمة وبالعكس يكون اسرع بسبب وجود دارة وقف(pull up transistor) من نوع (PMOS) لها مقاومة قليلة عند التشغيل.بخلاف دائرة الحمل المتوافرة في NMOS .
للمزيد Logical effort لحساب التأخر(time delay) في دوائر ال CMOS.