التبعثر المرن
يمكن دراسة المواد التي لا تتمتع بمدى كبير من الترتيب (شبه بلورية) باستخدام طرق التبعثر التي تعتمد على التبعثر المرن للأشعة السينية وحيدة اللون.
- تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة (Small angle X-ray scattering) (SAXS) يسبر البنية بمجال النانومتر إلى الميكرومتر وذلك بقياس شدة التبعثر عند زوايا تبعثر 2θ قريبة من 0°.
- انعكاسية الأشعة السينية هي تقنية تحليلة لتحديد سمك، وخشونة، وكثافة فيلم ذي طبقة وحيدة أو عديدة الطبقات.
- تبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة (Wide angle X-ray scattering) (WAXS) هي تقنية تركز على زوايا التبعثر 2θ أكبر من 5°.
التبعثر غير المرن
عند إظهار قدرة وزاوية الأشعة السينية المبعثرة المصطدمة صدما غير مرن، يمكن استخدام تقنيات لسبر بنية الحزمة الإلكترونية (electronic band structure) للمواد.
- تبعثر كمبتون. (Compton scattering)
- تبعثر رامان للأشعة السينية. (X-ray Raman scattering)
- نموذج حيودي للأشعة السينية.
- تبعثر الأشعة السينية الرنانة غير المرنة (Resonant inelastic X-ray scattering)
Source: wikipedia.org