اذا لم تجد ما تبحث عنه يمكنك استخدام كلمات أكثر دقة.
في هذه الدائرة الإلكترونية التي تستخدم لتكبير إشارات متذبذبة ندخلها عند C1 ، نجد جهد انحياز على "البوابة" G للترانزستور JFET. يحدد هذا الجهد عن طريق مجزيء الجهد R1-R2 ، حيث أن المصب موصول بجهد موجب Ucc مقداره نحو 20 فولط :
حيث هو فرق الجهد بين البوابة والأرضية ، (الأرضية هنا هي التوصيلة السفلى V 0 ، واستخدمنا للأرضية الرمز M اختصارا لكلمة Mass).
يبلغ فرق الجهد عند المصدر S (طبقا لقانون أوم) = Id.R4
وهو يكون أعلى من جهد البوابة حيث أن جهدها Vgs لا بد وأن يكون سالبا .
ويبلغ جهد المصب =
حيث Id هو التيار المار بين المصب والمصدر .
ويمكننا الآن اختيار بيانات الدائرة :
فلنختار مثلا نقطة تشغيل الترانزستور المبينة اعلاه في الشكل 2 حيث Id = 2mA وVgs = -2,5V.
أي أن جهد انحياز البوابة -5و2 فولط.
ونريد تثبيت الجهد عند Vgm = 1V.
فإدا كان الجهد الموجب للمصدر الخارجي الموصول بالمصب Ucc = 12 V, فيمكن اختيار على سبيل المثال المقاومتان R2 = 10kΩ وR1 = 110kΩ.
ونظرا لأن Vgs لا بد وان تساوي -2,5V, فلا بد أيضا من ان تكون Vs = 1+2,5 =3,5V.
كما أننا اخترنا 2mA = Id (وهو يساوي أيضا Is) ، إذن فتبلغ المقاومة R4 = 3,5/2.10−3 وهذا يساوي 1,75kΩ .
بهذا نكون قد حددنا المقاومات R1 وR2 وR4 ، وباقي اختيار المقاومة R3 التي تحدد جهد المخرج عند D .
يختار جهد المصب عند D بصفة عامة في الوسط بين جهد المصدر والجهد الخارجي Ucc، بحيث يسمح بتغير جهد المصب حتى أقصي جهد من جهة، ومن جهة أخرى لضبط جهد المخرج في حالة الاستقرار، عند ادخال إشارة متذبذبة من ناحية G ونريد تضخيمها وتخرج من C2.
وليكن اختيارنا أن نثبت Vdm عند 8 فولط (جهد المخرج عند C2). ونصل إلى ذلك باختيار المقاومة R3 = 2kΩ.